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Publié par alvas le 15-10-2005
Le géant Samsung, gonflé d'espoir pour son avenir, vient de passer à une finesse de 70 nm pour la production de mémoire vive DDR2.
Les premières puces 70 nm de la marque offriront 512 Mbit de capacité (64 Mo). Dès la seconde moitié de l'année 2006, Samsung espère produire des puces de 1 Gbit et 2 Gbit de capacité (respectivement 128 et 256 Mo).
Le processus de production en 70 nm devrait permettre au Coréen d'augmenter encore les rendements de sa production de mémoire, offrant une « continuité » avec le processus 80 et 90 nm. Samsung est premier sur le 70 nm dans la production de SDRAM, et compte bien profiter de son avantage.
La société espère pouvoir obtenir deux fois plus de puces valides sur un wafer de même taille, par rapport à la production actuelle en 90 nm. Samsung a pu atteindre les 70 nm notamment grâce à sa technologie de transistors en trois dimensions baptisée « Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor » (S-RACT).
La société ajoute enfin que plusieurs nouvelles technologies lui ont permis de travailler une limitation typique de la DRAM, en améliorant la fonction « data-refresh » (rafraîchissement des données stockées).
Source : PC INpact
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